HEM-200 高低温霍尔效应测试系统

系统组成：HEM-200 高低温霍尔效应测试系统本仪器系统由电磁铁、电磁铁电源、高精度恒流源、高精度电压表、矩阵卡、霍尔效应样品支架、标准样品、系统软件组成。本套系统测试应用的是最新的KEITHLEY 进口测试源表，配合配套的低延迟宽带宽的矩阵卡，极大提高了样品的供电电流和测试样品的霍尔电压的量程和精度，宽电流供电和宽电压测试范围可以覆盖市面上绝大多数的半导体器件。用于测量半导体材料的载流子浓度、

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更新时间：2025-04-17
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关键词：浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数，半导体

HEM-200 高低温霍尔效应测试系统

系统组成：HEM-200 高低温霍尔效应测试系统本仪器系统由电磁铁、电磁铁电源、高精度恒流源、高精度电压表、矩阵卡、霍尔效应样品支架、标准样品、系统软件组成。本套系统测试应用的是最新的KEITHLEY 进口测试源表，配合配套的低延迟宽带宽的矩阵卡，极大提高了样品的供电电流和测试样品的霍尔电压的量程和精度，宽电流供电和宽电压测试范围可以覆盖市面上绝大多数的半导体器件。用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性的工具。实验结果由软件自动计算得到，可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度 (Sheet Carrier Concentration)、迁移率 (Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、磁致电阻 (Magnetoresistance)等等。

系统参数:

我们可提供各类霍尔效应测试系统用于教学和研究

HEM-200 高低温霍尔效应测试系统

可测试材料:

物理学参数	载流子浓度(Carrier Density)	10³cm^-3~ 10²³cm^-3
	迁移率(Mobility)	0.1cm²/voltsec ~10⁸cm²/voltsec
	电阻率范围(Resistivity)	10^-70hmcm~ 10¹⁰0hmcm
	霍尔电压(Hall voltage)	10nV~ 200V
	霍尔系数	±10^-5~ 10²⁷cm^-3/C
可测试材料类	半导体材料	SiGe,SiC,InAs,InGaAs,InP,AlGaAs,HgCdTe 和铁氧体材料等
	低阻抗材料	石墨烯、金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR 材料等
	高阻抗材料	半绝缘的 GaAs，GaN，CdTe 等
	材料导电粒子	材料的P型与N型测试
	磁铁类型	磁场可变电磁铁
磁场环境	磁场大小	2000mT(极头间距为:10mm) 1500mT(极头间距为:20mm ) 1000mT(极头间距为:30mm ) 800mT(极头间距为:40mm) 600mT(极头间距为:50mm)
	霍尔效应测试磁场	霍尔效应中极头间距为 30mm，此时磁场最大为1000mT
	均匀区	1%
	最小分辨率	0.1Gs
	可选磁环境	可根据客户需求定制相关磁性大小的电磁铁
电学参数	电流源	±0.1nA—±1000mA
	电流源分辨率	0.01nA
	测量电压	±10nV—±200V
温度环境		80K~500K
温度环境	控温精度	0.1K
其他配件	遮光性	外部安装遮光部件，使得测试材料更加稳定
	样品尺寸	10mm10mm(标准) 16mm16mm（最大）
	箱式机柜	6006001000mm
	测试样片	提供中国科学院半导体所霍尔效应标准测试样片及数据：1 套（硅、锗、砷化镓、锑化铟）
	制作欧姆接触	电烙铁、铟片、焊锡、漆包线等

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